绝缘体上硅锗薄膜的退火研究

摘要：

绝缘体上硅锗是近年来受到人们广泛关注和研究的新型微电子材料,它以其独特的全介质隔离结构,可为研发新型的超高速、低功耗、抗辐射、高集成度硅基器件和芯片提供一种新的解决方案,有希望成为突破体硅器件的物理极限、在深亚微米超大规模集成电路芯片主流技术中获得广泛地应用.介绍了我们制备绝缘体上硅锗薄膜的方法和结果.

关键词：硅锗薄膜、退火、拉曼、X射线

所属期刊栏目：21

分类号：TN405.98+4;TN304.1+2(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2007-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：90-93