基于容忍单粒子效应的集成电路加固方法研究

摘要：

针对现有容忍单粒子效应的锁存器结构无法同时容忍单粒子翻转(SEU)、单粒子瞬态(SET),以及未考虑电荷共享导致的双节点翻转(DNU)问题,提出一种高可靠性的同时容忍SEU、SET和DNU的锁存器加固结构SRDT-SET.基于空间和时间冗余原理,该锁存器结构采用了多个输入分离的施密特触发器来构建高可靠性数据存储反馈环,同时内嵌多个施密特触发器.HSPICE仿真结果表明,SRDT-SET锁存器结构能够从SEU中在线自恢复,容忍的SET脉冲宽度更宽,并且能够有效容忍DNU,功耗-延迟综合开销不大,有效增强了SET脉冲的过滤能力.

关键词：单粒子效应、单粒子翻转、单粒子瞬态、双节点翻转、锁存器加固、电路可靠性

所属期刊栏目：31

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：安徽省教育厅科研基金项目KJ2016A135

在线出版日期：2018-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：29-35