氯硅烷吸收HCl工艺的模拟

摘要：

采用ASPEN plus软件对改良西门子法制备多晶硅工艺中的HCl吸收过程进行了模拟.提高压力至11bar以上,降低温度至-40℃以下,有利于H2纯度提升至85％(w)以上.同时分析了压力、吸收剂量和温度,以及吸收剂组成等对吸收效果的影响.在不同温度和压力下,分别计算了HCl在SiHCl3和SiCl4中的溶解度.虽然HCl在SiHCl3中比SiCl4中的溶解度高,但由于SiHCl3挥发度比SiCl4小,所以随着吸收剂中SiHCl3增多,吸收后的H2纯度反而会降低.

关键词：HCl、氯硅烷、吸收、ASPEN plus、多晶硅

所属期刊栏目：24

在线出版日期：2021-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

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