掺杂CuO对（Zr0．8 Sn0．2）TiO4陶瓷介电性能的影响

摘要：

采用固相反应法制备陶瓷样品,研究掺杂CuO对( Zr0．8 Sn0．2) TiO4的微观结构和介电性能的影响。结果表明：掺杂降低了( Zr0．8 Sn0．2) TiO4陶瓷的烧结温度,样品能够在1300℃下烧结成瓷,陶瓷密度和介电常数随着CuO的增加而增加,介电损耗随着掺杂量的增加而减少。 XRD结果显示：样品的主晶相均为( Zr0．8 Sn0．2) TiO4相。ZnO和CuO的质量分数均为1%、烧结温度1350℃时,介电常数为40．5,损耗为0．0004(1MHz),介电性能最佳。

关键词：介电常数、Cu3 TiO4、SEM

分类号：G48;O61

资助基金：西华大学研究生创新基金YCJJ201303,YCJJ201306

在线出版日期：2015-01-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：18-21