A位掺杂Bi2(Zn1/3 Nb2/3)O7陶瓷结构与介电性能

摘要：

采用固相反应制备Bi2(Zn1/3Nb2/3)O7基陶瓷,并借助X射线、扫描电镜和Agilent4284测试仪研究A位Y3+、Er3+、Sb3+替代对Bi2+(Zn1/3Nb2/3)O7陶瓷结构、烧结温度和性能的影响.研究结果表明:当替代量x≤0.4时,样品均保持单一的单斜焦绿石相结构;Y3+离子替代的样品在960℃致密成瓷,Sb3+离子替代的样品在1000℃致密成瓷,Er33+离子替代的样品在1050℃可以致密成瓷;Y3+、Er3+替代样品的介电常数温度系数先增大后减小;Sb3+替代样品的介电常数温度系数由286.8421×10-6急剧减小到-171×10-6.因此,选择合适的离子替代可以获得性能很好的NPO介质材料.

关键词：铋基陶瓷、替代、烧结温度、介电性能

所属期刊栏目：27

分类号：TM28(电工材料)

资助基金：四川省教育厅资助项目2006C025;西华大学校科研和教改项目R0620109

在线出版日期：2008-05-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：83-85