6H-SiC表面热氧化SiO_2的正电子谱研究

摘要：

本文将慢正电子湮灭多普勒展宽谱技术,应用于对SiC表面热氧化生长的SiO_2特性的研究.S参数和W参数在退火前后的变化,直观的反映出SiO_2/SiC表面氧化层中空位型缺陷浓度的改变.通过与SiO_2/Si样品的对比,证实C元素及其诱生空位型缺陷的存在,很可能是影响SiO_2/SiC氧化层质量和SiC MOS击穿特性的重要因素,后退火工艺可以提高SiO_2/SiC中氧化层的致密性.实验表明,慢正电子湮灭多普勒展宽谱是研究热氧化SiO_2特性的有效手段.

关键词：慢正电子湮灭多普勒展宽谱、6H-SiC、SiO_2、空位型缺陷、退火工艺

所属期刊栏目：47

分类号：O411(理论物理学)

在线出版日期：2010-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：331-334