正电子深能级瞬态谱在GaAs缺陷研究中的应用

摘要：

本文介绍的正电子深能级瞬态谱(PDLTS)技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱(PAS)和一些深能级瞬态谱(DLTS)技术而成新的实验方法.该技术能用来研究Ⅲ～Ⅴ,Ⅱ～Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征,它的优点不仅能研究半导体材料中缺陷的电学特征而且还能够同时揭示这些电活性缺陷的微观结构信息.本文将介绍砷化镓中EL2缺陷能级的PDLTS研究,运用该技术并结合深能级Arrhenius分析,得到EL2能级值为0.82±0.02 eV.

关键词：正电子、半导体、深能级瞬态谱(DLTS)、正电子深能级瞬态谱(PDLTS)

所属期刊栏目：45

分类号：O571.23;O472(原子核物理学、高能物理学)

资助基金：国家自然科学基金10775102

在线出版日期：2008-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：586-590