特型二氧化钒薄膜的制备及电阻温度系数的研究

摘要：

采用真空蒸发-真空退火的制备工艺,制备出了特定的VO2(B)型薄膜并给出了最佳制备条件,经X射线衍射(XRD)分析及电学参数测试,其电阻温度系数(TCR)值达到-3.4×10-2K-1,无相变和热滞现象.作者还讨论了薄膜电阻-温度关系,及其电阻温度系数与晶粒大小、激活能等的关系.

关键词：VO2(B)薄膜、真空蒸发、真空退火

所属期刊栏目：42

分类号：O484(固体物理学)

在线出版日期：2005-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：523-527