电子辐照前后的n型6H-SiC低温正电子捕获的研究

摘要：

在20～300K低温范围内,通过对电子辐照前后n型6H-SiC正电子湮灭寿命谱的测量,揭示了不同空位型缺陷之间的正电子捕获的竞争.建立了一种用于解释正电子寿命谱测量结果的模型,该模型中费米能级位置的改变可影响缺陷的电离以及正电子在缺陷位置的被捕获.根据模型拟合正电子寿命谱数据后得到:在原生的SiC中,正电子最可能被碳空位和碳的双空位所捕获,经估算其浓度分别为1.1×1017cm-3和3.0×1016cm-3;在辐照后的SiC中,正电子最可能被碳的双空位,硅空位或硅空位的杂合态所捕获,经估算其浓度分别为9.8×1016cm-3和5.4×1016cm-3.

关键词：正电子捕获、正电子寿命、电子辐照、碳化硅(SiC)

所属期刊栏目：41

分类号：O571.23;O472(原子核物理学、高能物理学)

资助基金：国家留学回国人员科研启动基金

在线出版日期：2004-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：348-353