一氧化硅制备的研究

摘要：

@@ SiO是一种宽带隙半导体光学材料,广泛用于真空镀膜:D-T核反应绝对截面量囚禁放射性氘的气体靶窗[1];激光增透膜和反射膜;无线电元件、玻璃、塑料和纸类等基体的保护膜、绝缘膜,及装饰膜的原料.由于SiO的生产条件苛刻,而多限于实验室制备[2,3],不能满足市场需要,因此我们在由实验室条件过渡到规模生产过程中,对制备较高纯度(99.9%)的SiO条件进行了研究和改进.以下简述制备SiO过程中的化学反应及其压力、温度和反应时间对产品质量的影响.

机标关键词：实验室、宽带隙半导体、无线电元件、激光增透膜、真空镀膜、生产条件、生产过程、化学反应、光学材料、反应时间、产品质量、装饰膜、气体靶、绝缘膜、核反应、高纯度、放射性、反射膜、保护膜、原料

所属期刊栏目：37

分类号：TQ17

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：115-117