10.3969/j.issn.0490-6756.1999.04.012
ZnO:V3+及CdS:V3+的零场分裂和g因子的研究
考虑到3dn离子d电子e轨道和t2轨道的径向部分在晶体中以不同的方式畸变,及由于中心离子d电子与配体p电子相互混合而引起的配体旋轨耦合作用,对EPR参量D因子和g位移Δg∥(=g∥-gs),Δg⊥(=g⊥-ts)的贡献,用一种基于离子簇方法的模型,计算了ZnO:V3+及CdS:V3+晶体的零场分裂D因子和g位移Δg∥,Δg⊥,结果与实验值吻合较好.
晶体场及配位场理论、EPR参量、旋轨耦合、ZnO:V3+和CdS:V3+晶体
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O723.5(X射线晶体学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
698-702