期刊专题

10.3969/j.issn.0490-6756.1999.04.012

ZnO:V3+及CdS:V3+的零场分裂和g因子的研究

引用
考虑到3dn离子d电子e轨道和t2轨道的径向部分在晶体中以不同的方式畸变,及由于中心离子d电子与配体p电子相互混合而引起的配体旋轨耦合作用,对EPR参量D因子和g位移Δg∥(=g∥-gs),Δg⊥(=g⊥-ts)的贡献,用一种基于离子簇方法的模型,计算了ZnO:V3+及CdS:V3+晶体的零场分裂D因子和g位移Δg∥,Δg⊥,结果与实验值吻合较好.

晶体场及配位场理论、EPR参量、旋轨耦合、ZnO:V3+和CdS:V3+晶体

36

O723.5(X射线晶体学)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

698-702

暂无封面信息
查看本期封面目录

四川大学学报(自然科学版)

0490-6756

51-1595/N

36

1999,36(4)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn