碲镉汞红外光电探测器局域场表征研究进展

摘要：

碲镉汞材料 (HgCdTe) 是第三代红外探测系统中使用的重要探测材料，其发展水平能基本反映当前红外探测器最优性能指标。近年来，天文、遥感和民用设备对探测器性能提出了更高的要求，这对HgCdTe红外探测器的设计和制备提出了新的挑战。HgCdTe红外探测器更精细的设计和加工技术为提高HgCdTe红外探测器性能提供解决思路。抑制器件的有害局域场、调控器件的有益局域场可以实现器件性能进一步的突破。但是，如何对HgCdTe光电器件局域场进行表征与分析，澄清HgCdTe光电器件中局域场相关的噪声及暗电流起源，是推动器件性能突破需解决的重要关键科学与技术问题。文中将总结HgCdTe红外光电探测器局域场表征与分析的研究进展，为新一代HgCdTe红外光电探测器发展提供基础支撑。

关键词：碲镉汞器件、微区光电流扫描技术、局域场、暗电流

所属期刊栏目：51

分类号：TN21(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家重点研发计划2020YFB2009300;21ZR1473400;2020ZDSJ901

在线出版日期：2022-10-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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