空穴型Si/SiGe共振隧穿二极管及其直流参数提取

摘要：

共振隧穿二极管因其特有的负微分电阻特性,成为一种很有前途的基于能带工程的异质结构量子器件.采用超高真空外延技术,以p型重掺杂硅为衬底生长出以4 nm厚Si0.6Ge0.4层为空穴量子阱、以4 nm厚Si层为空穴势垒的双势垒单量子阱结构.然后用常规半导体器件工艺制成了空穴型共振隧穿二极管.在室温下对面积为8 μm×8 μm的共振隧穿二极管进行测量,其峰值电流密度为45.92 kA/cm2, 电流峰谷比为2.21. 根据测量得到的电流电压特性考虑串联电阻的影响,提取出共振隧穿二极管的直流参数.可以利用这些参数将共振隧穿二极管的直流模型加入SPICE电路模拟软件器中进行共振隧穿二极管电路设计.

关键词：共振隧穿二极管、SiGe、负微分电阻、曲线拟合

所属期刊栏目：45

分类号：TN312.2(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2002CB311907;国家自然科学基金69836020,10075029;面向21世纪教育振兴行动计划985计划JZ2001010

在线出版日期：2005-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：133-136