半导体材料微体缺陷激光扫描分析技术

摘要：

半导体材料内部的一致性是实现微器件功能的重要保证.为实现半导体材料微体缺陷的无损、高效、和准确检测,在研究广义Lorenz-Mie理论的基础上,通过将散射光分布分析引入到检测当中,提出了对近红外激光散射信号探测和缺陷大小特征的判据,来检测半导体材料缺陷的方法.介绍了检测的基本原理和理论模型,以及基于这一构想的全自动检测系统的实现方法,并提出了微缺陷检测的判据.对一组GaAs样品进行了实验研究,证明了该方法的可行性.

关键词：半导体材料、微体缺陷、广义Lorenz-Mie理论、散射、光强分布分析、自动检测

所属期刊栏目：41

分类号：TN249;TB303(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：87-90