FED中支撑对电场分布及电子轨迹的影响

摘要：

在场致发射显示器（FED）中加入支撑会影响真空室内部电场分布和电子运动，从而导致二次电子发射和电荷积累效应。为比较不同发射结构中这种负面影响的大小，对3种常见阴极模型中电子运动轨迹进行了模拟：采用有限元法计算带有介质支撑墙的FED电场分布，采用Runge-Kutta法计算该空间电子轨迹，得出了支撑墙对FED电子轨迹影响的数值结果。模拟结果显示，在三极型和四极型（聚焦型）结构中，支撑的引入不可避免地会带来二次电子发射和电荷积累效应；与之相反，平面型发射结构则很好地避免了这一负面影响。

关键词：场致发射显示器(FED)、支撑墙、二次电子发射、电荷积累

所属期刊栏目：41

分类号：TN102(真空电子技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-16