改进的HEMT器件噪声等效电路模型

摘要：

为了弥补SPICE电路模拟程序中高电子迁移率HEMT器件等效电路噪声模型的缺陷，提高高速电路设计的精度，提出了一个新的用于SPICE电路模拟器的HEMT噪声模型，该噪声模型的优点在于由两个不相关的噪声电压源和噪声电流源组成，很容易在SPICE程序中实现。文中给出了利用矩阵关联技术提取噪声等效电路模型参数的方法，实验结果说明，该模型主要改善了器件最佳噪声系数和噪声电阻的精度。

关键词：电路模型、噪声、仿真

所属期刊栏目：41

分类号：TN325.3(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5-8