医用加速器270°偏转系统中边缘场对电子轨迹的影响

摘要：

针对在高能医用驻波直线加速器270°偏转磁铁系统的理论设计过程中,使用等效边界方法忽略了边缘场影响的问题,按照EFF(Extended Fringing Field)理论计算所得结果重新校正原来设计的电子轨迹,并采用粒子跟踪的模拟方法,模拟电子在270°偏转系统中的偏转过程,将模拟结果与EFF理论计算结果进行比较,分析指出在270°偏转磁铁系统中加磁屏蔽的意义,从而从理论上指导270°偏转磁铁系统的安装,即将靶从原安装位置处向左调整5mm.

关键词：边缘场、270°偏转磁铁、EFF计算、粒子跟踪、屏蔽

所属期刊栏目：40

分类号：O411.3(理论物理学)

资助基金：科技部专项基金96-905-01-03

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：24-27