非均匀应变对量子阱结构的能带和增益的影响

摘要：

研究了非均匀应变对低维量子结构的能带和TE模光增益所产生的影响.由变分法推导应变沿z轴方向的解析分布.在有效质量理论框架下,采用传递矩阵方法计算应变沿z轴方向非均匀分布时的量子阱结构的能带和TE模光增益.解析推导表明非均匀应变分布与x-y方向的尺度有密切关系.当x-y方向的尺度较小时,阱区内的应变表现为明显的非均匀分布.计算结果表明,非均匀应变对量子线和量子点结构的能带和增益有着极为重要的影响.

关键词：量子阱结构、能带、增益、非均匀应变

所属期刊栏目：39

分类号：O471.5;TN248.4(半导体物理学)

资助基金：国家科技攻关项目863-715-010-00102

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：11-14