10.3321/j.issn:1000-0054.1999.05.034
Si3N4-MgO-CeO2陶瓷烧结过程中的致密化与相变
氮化硅陶瓷有极大的应用潜力,但由于其强共价键,很难烧结致密化.采用了一种新的MgO-CeO2复合烧结助剂,利用X射线衍射、透射电镜等手段研究了MgO-CeO2复合烧结助剂对氮化硅陶瓷致密化和相变过程的影响,结果发现对Si3N4-MgO-CeO2陶瓷,在1450℃就会有大量液相出现,1500~1550℃为快速致密化阶段,而α-Si3N4→β-Si3N4相变主要发生在1550~1600℃,相变过程滞后于致密化过程.常压烧结Si3N4-MgO-CeO2陶瓷,强度达948MPa,因此,MgO-CeO2是一种非常有效的氮化硅的烧结助剂.
氮化硅、致密化、相变
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TF124.5(冶金技术)
科技部专项基金96-A10-01-07
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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