10.3321/j.issn:1000-0054.1999.05.005
硅橡胶合成绝缘子染污放电机理的研究
传统的瓷和玻璃绝缘子表面呈亲水性,耐污闪性能较差;硅橡胶合成绝缘子表面呈憎水性,且其憎水性能够迁移至绝缘子表面污层,因而具有优良的耐污闪性能,尽管目前对瓷和玻璃绝缘子的污闪机理已作了较深入的研究,但对合成绝缘子污闪机理的研究尚比较缺乏.该文详细分析了合成绝缘子的染污放电过程,提出了闪络通道由多条短电弧与狭窄水带串联而成的合成绝缘子直流污闪模型.模型表明,众多短电弧的阴阳极压降及水带的高阻值是其具有高污闪电压的原因,同时模型清楚地反映了合成绝缘子临闪电流低、临闪电压高的特点.
外绝缘、合成绝缘子、染污放电、数学模型
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TM85(高电压技术)
高等学校博士学科点专项科研项目9400357
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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