基于专利的氧化锌宽禁带半导体材料技术中外比较

摘要：

利用专利对氧化锌宽禁带半导体材料技术的研发实力、技术领域、专利原创性和普遍性态势进行中外比较，根据主要竞争国家的综合竞争地位分析，发现我国该领域技术研发中的问题。研究表明尽管我国的专利增长率不断提高，但高质量专利较少，研发机构竞争实力不足，属于技术相对落后者。最后利用SWOT分析对提高氧化锌宽禁带半导体技术的创新水平给出相应的建议。

关键词：氧化锌、宽禁带半导体材料、专利分析、中外比较

分类号：G306;G353(科学研究理论)

资助基金：国家社会科学基金重大项目“新兴技术未来分析理论方法与产业创新研究”11

在线出版日期：2015-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：62-68,149