MOCVD反应器的数学模型及其数值模拟

摘要：

以垂直金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器沉积GaN为对象,建立了反应器内部数学模型.模型中包括了流动、传热和传质方程.通过应用非结构化网格划分复杂模型,在此基础上,计算了反应器中流场和温度场的分布.计算结果对于分析轴向对称立式MOCVD反应器中热量和动量输运现象均有普遍指导意义,为优化设计MOCVD反应器提供了理论依据.

关键词：金属有机化学气相沉积、数学模型、流场、温度场、数值模拟

所属期刊栏目：22

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：江苏大学校科研和教改项目04JDG013;江苏省高校自然科学基金02KJD470002

在线出版日期：2004-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：39-41