10.3969/j.issn.1671-9891.2011.02.016
Ⅲ-V族三结抗辐照太阳电池结构的改进初探
文章介绍了Ⅲ-V族叠层太阳电池抗辐照设计的基本思路,提出了Ⅲ-V族叠层抗辐照太阳电池的两种改进结构p-i-n结构和线性掺杂结构,并探讨分析了这两种结构的物理原理和在抗辐照性能上的优劣,为进一步改善其抗辐射效应作了颇有意义的基础工作.
砷化镓、抗辐照设计、p-i-n、线性掺杂
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TM914.4
2011-12-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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