Si3Hn(n=1～6)环式及桥式的电子结构计算

摘要：

选用B3LYP密度泛函理论方法,在全电子的双ζ加极化加弥散函数基组(DZP++)下,对Si3Hn(n=1～6)体系进行了系统的研究,获得了它们的基态结构是以三个硅原子形成的环为基本骨架,硅原子尽可能以四配位键接氢原子在环外或形成桥式结构.同时对它们在气相中可能的断裂途径作了预测.

关键词：硅氢化合物、电子结构、断裂途径、密度泛函

所属期刊栏目：23

分类号：O552.5(热学与物质分子运动论)

在线出版日期：2005-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：167-170