基于原子层沉积的二硫化钼场效应晶体管制造及其性能研究

摘要：

针对机械剥离和化学气相沉积等传统制备二硫化钼薄膜方法的不足,采用原子层沉积方法,在氧化硅基底上沉积单少层二硫化钼薄膜,制备背栅场效应晶体管.采用光镜、透射电子显微镜、拉曼光谱仪和X射线衍射仪对沉积的二硫化钼薄膜进行表征.二硫化钼薄膜质量均匀、面积大,晶粒尺寸约为5.45 nm,为2H六方晶格结构.采用四探针台对二硫化钼场效应晶体管的性能进行测试研究,其沟道电阻为58.2 MΩ,载流子迁移率达到0.34 cm2/(V·s).

关键词：二硫化钼;原子层沉积;场效应晶体管

所属期刊栏目：19

分类号：TH145.1;TN386.2

资助基金：国家自然科学基金;江苏省自然科学基金;江苏省高等学校自然科学研究项目;江苏省高等学校自然科学研究项目

在线出版日期：2022-02-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：70-74