不同钝化介质层对AlGaN/GaN异质结二维电子气密度的影响

摘要：

试验用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)测定了不同介质层钝化后异质结势垒层AlGaN的附加应变,用范德堡霍尔效应测量法测定了不同介质层钝化后异质结二维电子气密度,发现AlN钝化层尽管给势垒层带来附加的压应变.但依然使二维电子气密度增大,借此讨论了钝化对势垒层表面态产生的影响,分析了钝化机制.

关键词：钝化、应变、表面态、二维电子气密度

所属期刊栏目：5

分类号：TN304.2+6(半导体技术)

在线出版日期：2007-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：40-44