作为高介电常数栅介质材料的LaErO3薄膜热稳定性和电学性质的研究

摘要：

采用脉冲激光淀积法在硅衬底上生长了LaErO3薄膜,用X射线衍射仪、X射线电子能谱仪、高分辨透射电子显微镜研究了该薄膜的热学和电学性质.通过电容-电压测量得到了较好的电容-电压曲线,计算得出等效SiO2厚度为1.4 nm.通过高分辨电镜可以看出即使经过700℃30 s N2中快速热退火处理LaErO3薄膜与硅衬底之间的反应层也仅有几个原子层的厚度.X射线电子能谱分析得到非常少量的SiO2在沉积的过程中形成.测量的热学和电学性质表明LaErO3薄膜是高介电常数栅介质材料非常有前途的候选材料.

关键词：高介电常数栅介质材料、脉冲激光淀积、薄膜

所属期刊栏目：45

分类号：D484.4+2

在线出版日期：2009-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：147-152