界面陷阱对硅纳米晶粒基MOS电容的电荷存储特性的影响

摘要：

利用电容-电压(C-V)测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属-氧化物-半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响.研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2/Si衬底界面态对电荷存储有着不同的影响作用.长时间存储模式下的电荷存储行为主要由存储电荷从深能级陷阱直接隧穿到SiO2/Si衬底界面态决定.

关键词：硅纳米晶粒、界面陷阱、直接隧穿、C-V测量

所属期刊栏目：37

分类号：O472;O474(半导体物理学)

资助基金：江苏省自然科学基金BK99049;教育部博士点基金

在线出版日期：2008-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：613-618