α-Al2 O3微粉对 Al2 O3－Ti3 SiC2复合材料常温导电性能的影响

摘要：

为研究 Ti3 SiC2材料的导电性能，将 Ti 粉、Si 粉、TiC 粉按物质的量比为11．22混合，外加不同含量和不同粒度的α-Al2 O3微粉经热压烧结制备了 Al2 O3－Ti3 SiC2复合材料。研究了热压烧结温度（1300、1350、1400、1450、1500和1550℃）、α-Al2 O3微粉的添加量（质量分数分别为10％、20％、30％、40％和50％）及粒径（50 nm、500 nm、800 nm 和7μm）对该复合材料的物相组成、显微结构、常温导电性能等的影响。结果表明：热压烧结制备的 Al2 O3－Ti3 SiC2复合材料的物相主要有 Ti3 SiC2、TiC 和刚玉，合适的热压烧结温度为1450℃；随着α-Al2 O3微粉含量和纳米级粒径的增大，Al2 O3－Ti3 SiC2复合材料的导电性能呈线性下降趋势，微米级比纳米级更有益于材料的导电性。

关键词：α-Al2O3微粉、Al2O3-Ti3SiC2复合材料、导电性能

分类号：TQ175

在线出版日期：2016-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：442-445