10.3969/j.issn.1001-1935.2014.05.03
MoSi2发热元件在不同气氛中使用损毁分析
对分别在空气气氛中使用100炉和在氮气气氛中使用5炉后(每炉均设定为1500℃保温3 h)的国产MoSi2发热元件进行了XRD、SEM和EDS分析,并探讨了其损毁机制。结果表明:1)国产MoSi2发热元件未变层气孔较多,腐蚀性气体易通过气孔与MoSi2反应造成损毁,少量的杂质相也可加速损毁;2)MoSi2发热元件在空气气氛中损毁的原因在于SiO2玻璃相以SiO气体挥发致使电阻不均,局部过热;3)氮气气氛中不能形成保护性玻璃膜,N2和少量CO与MoSi2反应生成Mo5 Si3、Mo3 Si、Mo、Mo2 C和Si3 N4,使其变质损毁。
MoSi2、发热元件、硅钼棒、空气气氛、氮气气氛、损毁机制
TQ175.1
河南省杰出青年基金项目124100510019;河南省教育厅重点科技攻关项目14A430030;河南省重点科技攻关项目112102210095。
2014-11-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
327-330