不同碳源对Al2O3-Si-C材料基质中原位合成SiC晶体形貌的影响

摘要：

为了研究微米或纳米结构的碳材料对Al2O3-Si-C材料基质中生成SiC晶体结构和形貌的影响,采用板状刚玉细粉和单质Si粉为原料,分别以碳纳米管、纳米炭黑和超细鳞片石墨为碳源,制备了添加三种不同碳源的Al2O3-Si-C基质试样,在埋炭气氛下于1000、1200和1400℃分别保温3h热处理,用XRD分析处理后试样的相组成,通过FESEM观察试样基质中的SiC晶体形貌.结果表明:1)较高的热处理温度可以促进SiC的反应生成,SiC的生成量随热处理温度的升高而增加.2)不同碳源在试样中原位形成SiC的形貌和反应机制各不相同:碳纳米管通过模板反应被逐渐转化为SiC晶须；Si与纳米炭黑之间快速反应形核,成核后的SiC晶体向各个方向均匀生长并形成SiC颗粒；超细石墨片晶从边缘向内部逐渐反应生成SiC晶须.

关键词：Al2O3-Si-C、超细鳞片石墨、纳米炭黑、碳纳米管、SiC晶须

所属期刊栏目：47

分类号：TQ175.4

在线出版日期：2013-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：245-249