梭式氮化窑用Si3N4-SiC匣钵砖用后分析

摘要：

利用XRD、SEM和EDAX对在梭式氮化窑中使用1年后的反应烧结Si3N4-SiC匣钵砖内外侧进行了分析.结果表明:在匣钵外侧(氧化气氛),匣钵砖表面12 mm厚的区域呈完全氧化状态,主要氧化产物是SiO2;紧随其后的12～20 mm区域呈部分氧化状态,氧化产物主要为Si2N2O及少量SiO2;20 mm以后区域无明显氧化特征.在匣钵内侧(氮气气氛),匣钵砖表面出现了约0.2 mm厚的氧化层,主要氧化产物是SiO2,该SiO2可能是由气态SiO氧化形成的,而气态SiO主要来自SiC的氧化及氮化过程中形成的气态SiO;从显微结构可以看出,SiC颗粒表面氧化明显.

关键词：氮化、梭式窑、匣钵砖、反应烧结、Si3N4-SiC 材料

所属期刊栏目：44

分类号：TQ1;TB3

在线出版日期：2010-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：256-259