10.3969/j.issn.1001-4926.2007.02.001
高体分SiCp/Mg复合材料真空压力浸渗制备工艺研究
进行了真空压力浸渗法制备高体积分数SiCp/Mg复合材料的工艺实验.结果表明,真空压力浸渗法具有良好的渗流条件,避免了气体和夹杂物的裹入等问题;在压力为300 kPa、温度为973 K及保压时间为5 min条件下,成功渗透了振实堆积的单一尺寸SiCp多孔体的最小粒径为32 μm;浸渗后的复合材料中SiCp体积分数达到了58.21%.经OM、XRD分析表明,镁液渗透均匀,复合材料内部组织致密,无明显的孔洞及夹杂等铸造缺陷.
复合材料、SiCp/Mg、制备工艺、高体积分数
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TB331(工程材料学)
江西省自然科学基金0650121
2007-09-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1-4,20