10.3969/j.issn.1672-612X.2012.05.007
基于自旋轨道耦合效应的能带分裂机理
从理论上导出了自旋与p轨道耦合效应使能带分裂的具体表达式,阐明了能带分裂的物理机理,讨论了自旋轨道耦合效应使价带顶分裂后能带结构的特征。其结果有助于更深刻的理解自旋轨道耦合引起能带分裂的机理,对研究半导体光学选择定择、输运性质及应变量子阱中能带的分裂也提供了重要的理论基础。
自旋轨道耦合、能带分裂、自旋轨道哈密顿量
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O171.5(数学分析)
四川省教育厅自然科学青年项目11ZB236;绵阳师范学院科研基金项目MA2010011
2012-09-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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