一种基于砷化镓衬底的高峰-谷电流比的共振隧穿二极管

摘要：

基于砷化镓高性能共振隧道二极管(RTD)结构采用分子束外延技术生长.其结构与普通的RTD不同,这种RTD在砷化铝势垒顶层交界处增加了一层Al0.24Ga,0.76主势垒层.在室温下,这种RTD偏压下峰-谷电流比(PVCR)达到4.68,其最高峰值电流密度为12.4kA/cm2.

关键词：主势垒、共振隧道二极管、PVCR

所属期刊栏目：29

分类号：TM315(电机)

在线出版日期：2011-03-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：56-57