Ar／O2比和基片温度对射频反应磁控溅射法制备钢基Si02薄膜亲水性的影响

摘要：

在工作气压为1．9Pa的氩氧气混合气氛中，改变氩氧的流量比和基片温度，采用射频反应磁控溅射法在不锈钢基片上制备了二氧化硅薄膜试样，并对薄膜的微观表面形貌和薄膜的亲水性进行表征．结果表明，在氩氧分压比为6：4和基片温度为90℃时制备的SiO2薄膜亲水性能最佳．

关键词：钢基Si02薄膜、亲水性、射频反应磁控溅射、氩氧分压比、基片温度

所属期刊栏目：31

分类号：O647(物理化学（理论化学）、化学物理学)

在线出版日期：2012-07-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：34-36,45