Simulated Annealing for Ground State Energy of Ionized Donor Bound Excitons in Semiconductors

机标关键词：ground state energies、variational method、the simulated annealing、traditional methods、partial derivatives、global optimization

所属期刊栏目：42

分类号：O4 ;O22

资助基金：Liu Hui Applied Mathematics Center of Nankai University;面向21世纪教育振兴行动计划985计划

在线出版日期：2005-01-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：779-784