Cu2BaSn(S,Se)4薄膜研究进展

摘要：

Cu2BaSn(S,Se)4薄膜是在Cu2ZnSn(S,Se)4的基础上发展提出的一类新型半导体材料.具有与Cu2ZnSn(S,Se)4相类似的性质特点,如直接带隙、带隙可调(1.5～2.1 eV)、p型半导体特性、大吸光系数、高载流子迁移率和良好化学稳定性等.更重要的是,Cu2ZnSn(S,Se)4中Cu和Zn原子半径相似,易出现铜锌位置互换形成反位缺陷.而Cu2BaSn(S,Se)4中Ba和Cu的原子半径相差较大,反位缺陷形成能较高,不易形成缺陷.因此通过将Ba取代Zn后形成的Cu2BaSn(S,Se)4能缓解反位缺陷和带边拖尾等问题,使得Cu2BaSn(S,Se)4成为了替代Cu2ZnSn(S,Se)4的可选材料之一.另外Cu2BaSn(S,Se)4具有优异的光电特性,使其成为光电领域非常重要的材料之一.本文主要阐述了近几年来Cu2BaSn(S,Se)4薄膜的研究进展.包括基本特性,如结构和吸光特性等、各种生长方法的优缺点和在太阳能电池及光电化学等领域的研究进展情况.最后总结并展望了Cu2BaSn(S,Se)4的应用前景,为未来的研究提供方向.

关键词：Cu2BaSn(S、Se)4、Cu2ZnSn(S、反位缺陷、太阳能电池、光电化学

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资助基金：国家重点基础研究发展计划;国家自然科学基金;江苏省自然科学基金

在线出版日期：2020-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共13页

页码：前插5,3297-3308