不同BCP插层厚度及工作温度对高场有机磁电导正负转变的影响

摘要：

采用插入较厚(40,80和120 nm)的BCP空穴阻挡层,制备了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/BCP(x nm)/A1的有机发光二极管,并在不同温度下测量了器件电流随外加磁场的变化(即magneto-conductance,MC).发现不同厚度BCP插层器件在低场(0≤B≤50 mT)下均表现为正磁电导效应,且这一特性与器件工作温度无关,但高场部分(B＞50 mT)的MC却表现出对温度及厚度有较强的依赖关系,即随着温度的降低,120 nm BCP插层器件表现出明显的正负磁电导转变;而80和40 nm的BCP器件则不存在这种转变现象,在低温下只存在负磁电导成分.其原因可能是:MC低场正磁电导部分由超精细相互作用引起;而高场MC的正负转变则主要是由于较厚BCP插层引起大量没有复合的剩余空穴,与低温下长寿命的三重态激子相互作用(即TQA作用)引起的.

关键词：有机磁电导、高场正负转变、空穴阻挡层、三重态激子-电荷、相互作用

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资助基金：重庆市科委自然科学基金2010BA6002;复旦大学应用表面物理国家重点实验室开放基金KL2011_06;国家自然科学基金10974157

在线出版日期：2014-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：803-809