非等温模型下多量子势垒结构对LED性能的影响

摘要：

引入了多量子势垒结构作为发光二极管的电子阻挡层来提高其性能.在非等温多物理场耦合模型下,对芯片的内量子效率、发热特性、光谱特性、以及光电转换效率做了系统分析.结果表明:发光二极管的内量子效率及光电转换效率得到显著改善,光谱强度明显升高,且多量子势垒结构的引入保证了芯片的热稳定性和发光稳定性.原因主要是由于多量子势垒结构的引入改善了电子阻挡层的能带结构,减少了漏电流,显著增强了活性区中载流子浓度.

关键词：发光二极管、内量子效率、多量子阱、光谱强度、漏电流

所属期刊栏目：57

分类号：O431.2;TN312.8(光学)

资助基金：国家自然科学基金-广东省联合基金重点项目U1034004;国家杰出青年科学基金50825603;国家重点基础研究发展计划2011CB710703;中央高校基本科研业务费专项资金11ZG01

在线出版日期：2012-12-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：2231-2236