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10.1007/s11434-010-0185-4

利用特殊脉冲电源电沉积制备CuInSe2薄膜

引用
采用钟形波调制的方波脉冲电源以恒电流模式在导电玻璃基底(ITO)上电沉积制得了CulnSe2薄膜,用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对在不同频率下制备的CulnSe2薄膜的表面形貌、成分组成和组织结构进行了研究.结果发现,在合适频率下制得的薄膜表面平整,颗粒均匀致密,成分接近理想化学计量比,具有单一的黄铜矿结构.在氮气气氛下退火处理后,薄膜结晶性能有较大提高.同时,通过薄膜截面分析发现,在脉冲恒电流模式下沉积速率较快,膜层与基底结合紧密,对工业化生产具有重要意义.

钟形波、脉冲电沉积、恒电流模式、CuInSe2薄膜、太阳能电池

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O6(化学)

国家自然科学基金90306010;10874040;高等学校科技创新工程重大项目培育资金708062

2011-05-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

1094-1098

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科学通报

0023-074X

11-1784/N

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2010,55(12)

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