CVD制备SiOx纳米线的各个生长阶段的直接实验证据

摘要：

在纳米线的制备中,气-液-固(VLS)生长机制得到了人们的广泛认可,但该机制的很多细节还停留在模型阶段.依托实验室自行设计的一台生长条件高度可控的高温化学气相沉积(CVD)系统,采用较为简便的方法,直接在Si片衬底上制备出了SiOx纳米线.通过严格控制实验参数,用离位观测捕捉到了纳米线的催化、形核和长大的一系列过程及其相关细节,并发现纳米线从细到粗的气-液-固(VLS)生长机制.讨论了气-液-固(VLS)机制中气态Si原子的来源以及纳米线的催化、形核和长大过程中的纳米曲率效应和"纳米熟化"现象,取得了对SiOx纳米线VLS催化生长机制的理解的突破.

关键词：SiOx纳米线、VLS生长机制、化学气相沉积

所属期刊栏目：54

分类号：O6(化学)

资助基金：国家科技计划国际科技合作与交流专项2008DFA51230;国家重点基础研究发展规划973计划2007CB936603;国家自然科学基金60776007;90401022;中澳科技合作特别基金20050222;教育部科技重点项目105099

在线出版日期：2009-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2988-2992