线性GaAs光电导开关的饱和参数研究

摘要：

通过计算几种主要散射机制对GaAs迁移率和电导率的影响,给出了GaAs迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律;考虑常温、低偏置电场下费米能级对载流子浓度的约束,给出了光激励下GaAs中的饱和载流子浓度;结合微带实验测试电路方程、饱和载流子浓度计算结果、半导体迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律,以及半导体材料对激励光强的朗伯吸收规律,给出了微带测试电路条件下的饱和光能和饱和电压等参数,在实验误差范围内,理论计算结果与实验测试结果较好吻合.

关键词：散射机制、电导率、迁移率、饱和光能、饱和输出电压

所属期刊栏目：53

分类号：TM5(电器)

资助基金：国家重点实验室资助项目YAK200501;电磁脉冲技术研究项目RY0405

在线出版日期：2009-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1516-1522