用于白光LED的Sr3SiO5:Eu2+材料制备及发光特性研究

摘要：

采用高温固相反应方法制备了用于白光发光二极管的Sr3SiO5:Eu2+发光材料. 测量了Eu2+掺杂浓度为0.01 mol时样品的激发与发射光谱, 其均为多峰宽带, 发射光谱主峰为575 nm, 次峰为487 nm, 与理论计算所得合成材料的发射光谱峰值符合得较好; 主发射峰对应的激发光谱峰值为365, 418, 458和473 nm. 同时, 研究发现Eu2+掺杂浓度影响了合成材料的发射光谱. 研究了InGaN管芯激发下YAG:Ce3+及Sr3SiO5:Eu2+材料的白光发射光谱, 对比结果显示, InGaN管芯激发下Sr3SiO5:Eu2+材料的白光发射光谱具有更好的显色性, 色坐标(x, y)为(0.348, 0.326).

关键词：白光发光二极管、Sr3SiO5:Eu2+、发光特性

所属期刊栏目：52

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：河北省科技计划51215103b

在线出版日期：2007-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1495-1498