旁栅偏压对GaAs MESFET沟道电流中低频振荡的调制

摘要：

在研究旁栅偏压条件下MESFET输出特性时经常发现沟道电流的低频振荡现象. 通过测试不同旁栅电压条件下的GaAs MESFET输出特性, 研究了沟道电流的低频振荡现象与旁栅偏压的关系, 发现旁栅偏压对沟道电流的低频振荡现象具有调制作用, 无论旁栅偏压朝正向还是负向变化都存在一个阈值可以消除此低频振荡. 理论分析认为这种调制作用与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关. 这一结论对于设计低噪声GaAs IC具有十分重要的指导意义.

关键词：输出特性、低频振荡、调制、沟道-衬底结、EL2碰撞电离

所属期刊栏目：50

分类号：TN7(基本电子电路)

在线出版日期：2005-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1145-1148