W-Bi-Ti-O系陶瓷低场电学性能的温度特性

摘要：

采用通常的固相合成工艺制备了Bi2WTi3O12陶瓷. 在低场(E<100 V/mm)下, 随温度的升高, 样品的电学性质先呈现金属行为, 100℃后变为无规的电涨落, 300℃后则表现为半导体特征下的非线性行为. 这些现象不能用电传导的热激发Arrhenius规律来解释. XRD分析表明样品中存在Bi2WO6主晶相和Bi4Ti3O12次晶相. 考虑到WO3的相变后可以简单的解释上述实验结果.

关键词：伏安特性、钛酸铋、三氧化钨

所属期刊栏目：49

分类号：TM28(电工材料)

资助基金：国家重点实验室基金M001501;湖南省教育厅科研项目01C372

在线出版日期：2004-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：46-49