(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx缓冲层上生长高各向异性磁电阻Ni0.81Fe0.19薄膜的研究

摘要：

用直流磁控溅射方法制备了以(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx为缓冲层的Ni0.81Fe0.19薄膜, 研究结果表明:当缓冲层厚度约为4.4 nm, Cr的浓度约为36(原子百分数)时, Ni0.81Fe0.19薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值较大, 其最大值达3.35%. 原子力显微镜(AFM)及X射线衍射(XRD)研究表明:Ni0.81Fe0.19薄膜AMR值最大时, 其表面平均晶粒尺寸最大, Ni0.81Fe0.19(111)衍射峰最强.

关键词：(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx缓冲层、各向异性磁电阻、晶粒尺寸、Ni0.81Fe0.19(111)衍射峰

所属期刊栏目：48

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金19890310

在线出版日期：2004-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：418-420