有机薄膜场效应晶体管的研制

摘要：

采用聚四氟乙烯充当绝缘材料, 利用全蒸镀法制备得到了有机薄膜场效应晶体管. 源极和漏极采用氧化铟锡, 半导体层和绝缘层分别由铜酞菁和聚四氟乙烯充当, 栅极采用银电极. 在利用光刻制备沟道长度为50 μm的源极和漏极后, 依次真空沉积铜酞菁层、聚四氟乙烯层和银层, 得到器件的电子迁移率为1.1×10-6 cm2@(V@s)-1, 开关电流比大于500.

关键词：有机薄膜晶体管、铜酞菁、聚四氟乙烯

所属期刊栏目：47

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2004-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：580-583