非晶硫系玻璃半导体Ge(S, Se)2薄膜的光致效应

摘要：

报道了GeS2和GeSe2非晶半导体薄膜经过光照后, 薄膜的光学透射边均出现绿移, 这种绿移在预先退火后的薄膜中是可逆的, 即退火薄膜经光照后光学透射边的绿移可以通过对薄膜进行第2次退火而使薄膜的光学透射边恢复到原来第1次退火的位置. 通过透射电子显微镜测试, 在光照后的GeS2和GeSe2薄膜中观察到光致结晶现象. 利用薄膜的这些光致效应特性可以设计出新型的光存储材料.

关键词：GeS2和GeSe2非晶半导体薄膜、光致漂白、光致结晶、光存储

所属期刊栏目：47

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2004-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：569-571