Ti3C2Tx薄膜制备与电磁屏蔽性能研究

摘要：

为了减少电磁屏蔽对设备的影响,采用真空抽滤方法制备了一种超薄Ti3C2Tx薄膜,在2～18 GHz研究了其电磁屏蔽性能.用扫描电子显微镜(SEM)表征了Ti3 C2 Tx薄膜断面的微观形貌,X射线衍射仪(XRD)测试了Ti3 C2 Tx薄膜成分.结果表明:制备的Ti3 C2 Tx薄膜,具有超薄性、高导电性和高电磁屏蔽性等特点,层层堆积的Ti3 C2 Tx纳米片提升了电子传输.通过测试可知:14μm厚的Ti3 C2 Tx薄膜表面电阻仅为509.9 mΩ,电磁屏蔽性能可以达到52.23 dB.分析得知,Ti3 C2 Tx薄膜电磁屏蔽屏蔽机制是反射主导的,可见Ti3 C2 Tx薄膜具有优异的电磁屏蔽性能.实验证明,Ti3 C2 Tx薄膜电磁屏蔽性能超过35 dB,在电磁屏蔽方面具有潜在应用.

关键词：电磁屏蔽、薄膜、高导电性、Ti3C2Tx

所属期刊栏目：21

分类号：TB383(工程材料学)

资助基金：民航局教育人才类项目;国家级大学生创新创业训练计划

在线出版日期：2021-03-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：486-490